RamBus 于东京推出全新TB级带宽多核存储芯片

RamBus将公布一款为未来多核构架准备的，全新TB级带宽的多核心存储芯片结构。

这一设计使用了16个DRAM通道，每个通道都可以直接连接到多核心处理器组，速度传输率16Gbps，每个时钟周期传送4bytes数据，这样的带宽就超过了1024Gb，该产品采用了65nm工艺制造。

这意味着的单通道速度就可以达到64GB/s，这一技术今天（11月28日）在东京Rambus Developer Forum上正式公布。